微型硅晶体传感器残余变形的云纹干涉法测试 Study on micro silicon transducer using Moiré Interferomet

排行榜 收藏 打印 发给朋友 举报 来源: 《实验力学》 发布者:cjk3d
热度49票 浏览13次 【共0条评论】【我要评论 时间:2002年12月09日 14:08
微型硅晶体传感器残余变形的云纹干涉法测试

Study on micro silicon transducer using Moiré Interferometry

硅是微电子学领域最重要的半导体材料,在硅器件的生产过程和实际应用中造成的硅片内部残余应力将极大地影响硅器件的使用性能和使用寿命.本文利用云纹干涉法和载波技术对微型硅晶体传感器的残余变形进行了研究,获得了理想的实验结果.

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作 者: 刘杰 戴福隆 温秀梅 高飞  
作者单位:刘杰,戴福隆,温秀梅(清华大学,工程力学系,北京,100084)
~g;l7^NWok0高飞(中国工程物理研究院,四川,绵阳,610003) 
刊 名:实验力学  ISTIC PKU
英文刊名:JOURNAL OF EXPERIMENTAL MECHANICS 
年,卷(期):2002 17(z1) 
分类号:TB12 
关键词:云纹干涉法   硅晶体   载波   残余变形  
机标关键词:微型硅晶体传感器残余变形云纹干涉法内部残余应力硅器件半导体材料载波技术微电子学使用性能使用寿命实际应用生产过程实验理想硅片 
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