半导体一氧化碳敏感材料研究进展 Recent Advances in Semiconductor Materials With Sensitivity Tow

排行榜 收藏 打印 发给朋友 举报 来源: 《气象水文海洋仪器》 发布者:cjk3d
热度6票 浏览18次 【共0条评论】【我要评论 时间:2007年12月04日 17:38
半导体一氧化碳敏感材料研究进展

Recent Advances in Semiconductor Materials With Sensitivity Towards Carbon Monoxide

金属氧化物半导体由于具有耐热、耐腐蚀、成本低廉等特点,常用于制作气体传感器的敏感元件.本文简要介绍了SnO2半导体材料、TiO2半导体材料作为一氧化碳敏感材料的最新研究进展.

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作 者: 熊力 吴展 刘玉洁 Xiong Li Wu Zhan Liu Yu-jie  
作者单位:熊力,刘玉洁,Xiong Li,Liu Yu-jie(大连工业大学信息工程学院,大连,116034)水利论文 QvUhRVC
吴展,Wu Zhan(长春气象仪器研究所,长春,130012) 
刊 名:气象水文海洋仪器 
英文刊名:METEOROLOGICAL,HYDROLOGICAL AND MARINE INSTRUMENTS 
年,卷(期):2007 (4) 
分类号:TN304.92 
关键词:一氧化碳敏感材料   SnO2   TiO2   半导体材料研究进展  
机标关键词:半导体材料一氧化碳材料研究Carbon Monoxide金属氧化物半导体气体传感器敏感元件敏感材料耐腐蚀制作耐热成本 
基金项目: 
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